UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Faculdade de Engenharia Elétrica

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Timbre

Plano de Ensino

IDENTIFICAÇÃO

Componente Curricular:

EXPERIMENTAL DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Unidade Ofertante:

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA-FEELT

Código:

FEELT31402

Período/Série:

40 PERÍODO

Turma:

5

Carga Horária:

Natureza:

Teórica:

0

Prática:

30

Total:

30

Obrigatória:

(x)

Optativa:

( )

Professor(A):

Dr. ANDRÉ LUIZ AGUIAR DA COSTA

Ano/Semestre:

2023/2

Observações:

 

 

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.

OBJETIVO

Objetivo Geral:

Ao final da disciplina o estudante será capaz de:

Objetivos Específicos:

1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;

2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;

3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;

4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.

 

PROGRAMA

  1. Características dos diodos;

  2. Circuitos utilizando diodos;

  3. Características dos transistores de junção bipolar;

  4. Polarização dos transistores dos transistores de junção bipolar;

  5. Amplificadores de pequeno sinal baseado em  transistores de junção bipolar;

  6. Transistores de efeito de campo.

METODOLOGIA

As aulas serão ministradas de forma presencial, no laboratório de eletrônica, realizadas às quartas-feiras das 10h50min às 12h20min. Na tabela abaixo estão descrita as aula que serão ministradas no semestre.

AULA

DATA

CONTEÚDO

01-02(1)

04/01/2024

-Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação e datas das provas.

-Apresentação do Simulador que será utilizado na Aula.

03-04(2)

17/01/2024

-Levantamento da curva característica do diodo semicondutor.

-Atividade de Simulação.

05-06(3)

24/01/2024

-Diodos Limitadores de tensão.

-Diodos Ceifadores.

07-08(4)

31/01/2024

-Circuitos retificadores de onda completa.

-Atividade de Simulação.

09-10(5)

07/02/2024

-Fonte de tensão AC~DC.

-Protótipo de Fonte de tensão AC~DC.

-Atividade de Simulação.

11-12(6)

21/02/2024

-Diodo Zener.

-Atividade de Simulação.

13-14(7)

28/02/2024

-Configuração Emissor comum (com polarização fixa da Base).

-Reta de Carga.

-Configuração Emissor comum(polarização do Emissor).

-Entrega do Relatório 1 sobre diodos

- Entrega da Lista de Simulação 1

15-16(8)

06/03/2024

-Reta de Carga.

-Atividade de Simulação.

-Transistor como chave.

17-18(9)

13/03/2024

-Atividade de Simulação.

- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação).

19-20(10)

20/03/2024

-Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão.

-Atividade de Simulação.

21-22(11)

27/03/2024

-Amplificadores de pequenos sinais em cascata.

23-24(12)

03/04/2024

-Resposta em Frequência do Amplificador de pequenos sinais utilizando

configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão.

-Atividade de Simulação.

- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad).

25-26(13)

10/04/2024

Levantamento da curva VG x ID para o transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização.

-Relatório 2 sobre transistores TBJ.

-Lista de de Simulação 2 sobre transistores TBJ.;

27-28(14)

17/04/2024

-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais;

29-30(15)

24/04/2024

Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais;

-Relatório 3 sobre Transistores JFET.

-Lista de de Simulação 3 sobre Transistores JFET.

- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad);

Apresentação do protótipo e memorial descritivo do projeto da Fonte AC~DC

O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial na sala 312 no bloco 3N as quartas-feiras de 13:50h até 15:50 e contabilizando no máximo 120 minutos por turma.

AVALIAÇÃO

O aproveitamento dos discente será medido por meio de relatórios sobre os experimentos, listas de simulações e projeto final, como mostra o quadro abaixo:

Avaliação

Valor

Data

Média dos Relatório

33,33

28/02/2024, 10/04/2024

Média das Lista de Simulações

33,33

28/02/2024, 10/04/2024

Apresentação da Fase I do projeto final (Especificação, simulação e relatório);

5,11

13/03/2024

Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad, PCB e Modelo 3D);

5,11

03/04/2024

Apresentação da Fase III do projeto final (Protótipo do Projeto testado e validado na bancada e memorial descritivo completo final);

23,11

24/04/2024

Atividade de recuperação, será uma lista de simulação que substituirá uma das listas anteriores

 

 

Atividade Substutiva

33,33

 

Total

100,00

 

Os resultados das avaliações serão apresentadas pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.

A vista de prova será marcada com os discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).

 

BIBLIOGRAFIA

8.1 BÁSICA

  1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.

  2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.

  3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.

8.2 COMPLEMENTAR

  1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.

  2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.

  3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Cientificos, 1973.

  4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.

  5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

 


logotipo

Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 17/01/2024, às 15:32, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.


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Referência: Processo nº 23117.002005/2024-41 SEI nº 5112422