UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Faculdade de Engenharia Elétrica
Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902
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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
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Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
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EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.
OBJETIVO
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Objetivo Geral: |
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Ao final da disciplina o estudante será capaz de: |
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Objetivos Específicos: |
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1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo; 2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito; 3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados; 4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.
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PROGRAMA
Características dos diodos;
Circuitos utilizando diodos;
Características dos transistores de junção bipolar;
Polarização dos transistores dos transistores de junção bipolar;
Amplificadores de pequeno sinal baseado em transistores de junção bipolar;
Transistores de efeito de campo.
METODOLOGIA
As aulas serão ministradas de forma presencial, no laboratório de eletrônica, realizadas às quartas-feiras das 10h50min às 12h20min. Na tabela abaixo estão descrita as aula que serão ministradas no semestre.
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AULA |
DATA |
CONTEÚDO |
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01-02(1) |
04/01/2024 |
-Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação e datas das provas. -Apresentação do Simulador que será utilizado na Aula. |
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03-04(2) |
17/01/2024 |
-Levantamento da curva característica do diodo semicondutor. -Atividade de Simulação. |
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05-06(3) |
24/01/2024 |
-Diodos Limitadores de tensão. -Diodos Ceifadores. |
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07-08(4) |
31/01/2024 |
-Circuitos retificadores de onda completa. -Atividade de Simulação. |
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09-10(5) |
07/02/2024 |
-Fonte de tensão AC~DC. -Protótipo de Fonte de tensão AC~DC. -Atividade de Simulação. |
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11-12(6) |
21/02/2024 |
-Diodo Zener. -Atividade de Simulação. |
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13-14(7) |
28/02/2024 |
-Configuração Emissor comum (com polarização fixa da Base). -Reta de Carga. -Configuração Emissor comum(polarização do Emissor). -Entrega do Relatório 1 sobre diodos - Entrega da Lista de Simulação 1 |
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15-16(8) |
06/03/2024 |
-Reta de Carga. -Atividade de Simulação. -Transistor como chave. |
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17-18(9) |
13/03/2024 |
-Atividade de Simulação. - Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação). |
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19-20(10) |
20/03/2024 |
-Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão. -Atividade de Simulação. |
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21-22(11) |
27/03/2024 |
-Amplificadores de pequenos sinais em cascata. |
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23-24(12) |
03/04/2024 |
-Resposta em Frequência do Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão. -Atividade de Simulação. - Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad). |
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25-26(13) |
10/04/2024 |
Levantamento da curva VG x ID para o transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização. -Relatório 2 sobre transistores TBJ. -Lista de de Simulação 2 sobre transistores TBJ.; |
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27-28(14) |
17/04/2024 |
-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais; |
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29-30(15) |
24/04/2024 |
Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais; -Relatório 3 sobre Transistores JFET. -Lista de de Simulação 3 sobre Transistores JFET. - Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad); Apresentação do protótipo e memorial descritivo do projeto da Fonte AC~DC |
O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial na sala 312 no bloco 3N as quartas-feiras de 13:50h até 15:50 e contabilizando no máximo 120 minutos por turma.
AVALIAÇÃO
O aproveitamento dos discente será medido por meio de relatórios sobre os experimentos, listas de simulações e projeto final, como mostra o quadro abaixo:
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Avaliação |
Valor |
Data |
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Média dos Relatório |
33,33 |
28/02/2024, 10/04/2024 |
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Média das Lista de Simulações |
33,33 |
28/02/2024, 10/04/2024 |
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Apresentação da Fase I do projeto final (Especificação, simulação e relatório); |
5,11 |
13/03/2024 |
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Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad, PCB e Modelo 3D); |
5,11 |
03/04/2024 |
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Apresentação da Fase III do projeto final (Protótipo do Projeto testado e validado na bancada e memorial descritivo completo final); |
23,11 |
24/04/2024 |
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Atividade de recuperação, será uma lista de simulação que substituirá uma das listas anteriores |
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Atividade Substutiva |
33,33 |
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Total |
100,00 |
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Os resultados das avaliações serão apresentadas pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.
A vista de prova será marcada com os discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).
BIBLIOGRAFIA
8.1 BÁSICA
MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.
MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.
8.2 COMPLEMENTAR
SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.
LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.
GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Cientificos, 1973.
ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.
Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
 | Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 17/01/2024, às 15:32, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
 | A autenticidade deste documento pode ser conferida no site https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 5112422 e o código CRC 9B4EA164. |
| Referência: Processo nº 23117.002005/2024-41 | SEI nº 5112422 |