UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Coordenação do Curso de Graduação em Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações - Uberlândia

Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902
Telefone: (34) 3239-4776 - cocet@eletrica.ufu.br
  

Timbre

Plano de Ensino

 

IDENTIFICAÇÃO

Componente Curricular:

Eletrônica Analógica 1

Unidade Ofertante:

Faculdade de Engenharia Elétrica

Código:

FEELT31401

Período/Série:

Turma:

A

Carga Horária:

Natureza:

Teórica:

60

Prática:

-

Total:

60

Obrigatória:

( ✓ )

Optativa:

(    )

Professor(A):

Luciano Xavier Medeiros

Ano/Semestre:

2023/1

Observações:

 

 

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

A disciplina auxiliará principalmente em dois itens determinados para esta profissão pelo Conselho Nacional de Educação através da Câmara de Ensino Superior (CNE/CES): Identificar, formular e resolver problemas de engenharia; desenvolver e/ou utilizar novas ferramentas e técnicas. As habilidades e competências provenientes do conhecimento de ciência e tecnologia de materiais, sinais e sistemas e circuitos elétricos terão valor inestimável para que estes itens, dentre outros da profissão, sejam alcançados com maior eficiência.

OBJETIVO

Objetivo Geral:

Munir o aluno com uma ampla compreensão sobre os fundamentos teóricos e de projeto dos empregos de dispositivos semicondutores básicos dentro dos universos analógico e digital.

Objetivos Específicos:

A disciplina Eletrônica Analógica I propõe um enfoque bastante aplicado e direcionado a execução de projetos, de modo que o aluno seja capaz de integrar a base de conhecimento ora adquirida com outras vertentes do curso de Engenharia Elétrica ou mesmo em execuções multidisciplinares.

PROGRAMA

1. Noções de Física de Semicondutores
2. Características dos diodos
3. Circuitos utilizando diodos
4. Características dos transistores
5. Configuração e polarização de transistores
6. Amplificadores de pequeno sinal
7. Transistores de efeito de campo

METODOLOGIA

Aulas expositivas com uso de quadro negro, datashow e os slides utilizados nas aulas teóricas estarão disponíveis em uma equipe do Microsoft Teams, cujo o código de ingresso é x92pc3p, onde os alunos também poderão ter um canal de comunicação com o professor, além da divulgação das notas das atividades avaliativas.

Caso os discentes preferiam, também a possibilidade de contato através e-mail: lucianox@ufu.br.

Alguns conteúdos da disciplina serão ministrados de forma assíncrona, podendo estes serem vídeos para que os alunos assistam ou atividade de leitura ou exercícios.

AVALIAÇÃO

A distribuição das notas dessa disciplinas está descriminada abaixo:

Observações:

BIBLIOGRAFIA

Básica

Complementar

 

Cronograma

 

Data

Atividade / Conteúdo

01/08

Apresentação do plano de ensino da disciplina e definição das datas da entrega das atividades avaliativas.

03/08

Materiais semincondutores, correntes em semicondutores, materiais dos Tipos N e P e Junção PN

08/08

Diodo semincondutor: sem polarização, polarizações direta e reversa, equação do diodo, efeito Zener, ruptura, efeito da temperatura e níveis de resistência

10/08

Diodo semincondutor: capacitâncias de transição e difusão e tempo de recuperação reversa

17/08

Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros

22/08

Circuitos com diodo em série, em paralelo e em série-paralelo

24/08

Transformador ideal, retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo aplicados à saída de um retificador de onda

29/08

Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador

05/09

Circuitos ceifadores, grampeadores, limitadores e multiplicadores de tensão

12/09

1ª Prova

14/09

Transistor de Bipolar de Junção: construção e suas características.

16/09

Exercícios

21/09

Polarização CC de transistores: ponto de operação, reta de carga, polarizações fixa e de emissor

26/09

Polarização CC de transistores: polarização por divisor de tensão (PDT), configuração base-comum e exercícios

28/09

Exemplo de projeto de um circuito de polarização de um TBJ, uso de um transistor bipolar em circuitos de chaveamento

03/10

Análise CA do transistor bipolar: modelos Pi e T, resistência re do transistor, configurações polarização fixa e polarização de emissor e exercícios

05/10

Análise CA do transistor bipolar: polarização PDT, configuração seguidor de emissor e exercícios

10/10

Análise CA do transistor bipolar: configuração base-comum, determinação do ganho da configuração considerando RL e RS, sistemas em cascata

17/10

Exercícios

19/10

Conexão Darlington, Par Realimentado e modelo Pi híbrido

24/10

Construção, operação, características e folhas de dados do JFET

31/10

2ª Prova

07/11

MOSFET tipo depleção, MOSFET tipo intensificação, folhas de dados.

09/11

Exercícios

14/11

Polarização de FET: configuração com polarização fixa, configuração com autopolarização e polarização por divisor de tensão

16/11

Polarização de MOSFETs dos tipos depleção e intensificação

21/11

Modelo de JFET para pequenos sinais Resposta em baixas e altas frequências para amplificadores com FET

23/11

3ª Prova

28/11

Aula para sanar dúvidas antes da Prova Substitutiva

30/11

Prova Substitutiva

 

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

 


logotipo

Documento assinado eletronicamente por Luciano Xavier Medeiros, Professor(a) do Magistério Superior, em 07/08/2023, às 09:54, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.


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Referência: Processo nº 23117.054632/2023-86 SEI nº 4712124