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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
- |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
A disciplina auxiliará principalmente em dois itens determinados para esta profissão pelo Conselho Nacional de Educação através da Câmara de Ensino Superior (CNE/CES): Identificar, formular e resolver problemas de engenharia; desenvolver e/ou utilizar novas ferramentas e técnicas. As habilidades e competências provenientes do conhecimento de ciência e tecnologia de materiais, sinais e sistemas e circuitos elétricos terão valor inestimável para que estes itens, dentre outros da profissão, sejam alcançados com maior eficiência.
OBJETIVO
Objetivo Geral: |
Munir o aluno com uma ampla compreensão sobre os fundamentos teóricos e de projeto dos empregos de dispositivos semicondutores básicos dentro dos universos analógico e digital. |
Objetivos Específicos: |
A disciplina Eletrônica Analógica I propõe um enfoque bastante aplicado e direcionado a execução de projetos, de modo que o aluno seja capaz de integrar a base de conhecimento ora adquirida com outras vertentes do curso de Engenharia Elétrica ou mesmo em execuções multidisciplinares. |
PROGRAMA
1. Noções de Física de Semicondutores
2. Características dos diodos
3. Circuitos utilizando diodos
4. Características dos transistores
5. Configuração e polarização de transistores
6. Amplificadores de pequeno sinal
7. Transistores de efeito de campo
METODOLOGIA
Aulas expositivas com uso de quadro negro, datashow e os slides utilizados nas aulas teóricas estarão disponíveis em uma equipe do Microsoft Teams, cujo o código de ingresso é x92pc3p, onde os alunos também poderão ter um canal de comunicação com o professor, além da divulgação das notas das atividades avaliativas.
Caso os discentes preferiam, também a possibilidade de contato através e-mail: lucianox@ufu.br.
Alguns conteúdos da disciplina serão ministrados de forma assíncrona, podendo estes serem vídeos para que os alunos assistam ou atividade de leitura ou exercícios.
AVALIAÇÃO
A distribuição das notas dessa disciplinas está descriminada abaixo:
1ª Prova: 12/09/2023 – 30,0 pontos;
2ª Prova: 31/10/2023 – 30,0 pontos;
3ª Prova: 23/11/2023 – 30,0 pontos;
Testes: 10,0 pontos;
Prova Substitutiva: 30/11/2023 – 30,0 pontos.
Observações:
A prova substitutiva consiste de uma avaliação sem consulta que possui nota igual a 30 pontos;
os alunos não aprovados e que tenham nota total mínima de 30 pontos após as avaliações (3 provas e os testes) e não estiverem reprovados por falta, terão o direito de fazer a prova substitutiva;
a nota obtida na prova substituirá a pior nota do discente em uma das 3 primeiras provas, mesmo que a nota obtida na avaliação de recuperação seja menor;
Os testes poderão ser com ou sem consulta, sem datas marcadas e podem ser realizados a qualquer momento das aulas. Logo, o discente só terá a nota de cada teste contabilizada se o aluno estiver presente na aula.
BIBLIOGRAFIA
Básica
RAZAVI, B., Fundamentos de microeletrônica, Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 2017.
SEDRA, A. S., SMITH, K. C., Microeletrônica, PERSON, 5ª edição, São Paulo, 2007.
MALVINO, A. P., Eletrônica, 8ª ed., Porto Alegre: AMGH, 2016.
Complementar
BOYLESTAD, R. L., Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 11ª ed., São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
FRANCO, S., Projetos de circuitos analógicos: discretos e integrados, Porto Alegre: AMGH, 2016.
FRENZEL Jr, L., Eletrônica moderna: fundamentos, dispositivos, circuitos e sistemas, Porto Alegre, AMGH, 2015.
HOROWITZ, P., A arte da eletrônica: circuitos eletrônicos e microeletrônica, 3ª ed., Porto Alegre: Bookman, 2017.
SWART, J. W., Semicondutores: fundamentos, técnicas e aplicações, Campinas: UNICAMP, 2008.
Cronograma
Data |
Atividade / Conteúdo |
01/08 |
Apresentação do plano de ensino da disciplina e definição das datas da entrega das atividades avaliativas. |
03/08 |
Materiais semincondutores, correntes em semicondutores, materiais dos Tipos N e P e Junção PN |
08/08 |
Diodo semincondutor: sem polarização, polarizações direta e reversa, equação do diodo, efeito Zener, ruptura, efeito da temperatura e níveis de resistência |
10/08 |
Diodo semincondutor: capacitâncias de transição e difusão e tempo de recuperação reversa |
17/08 |
Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros |
22/08 |
Circuitos com diodo em série, em paralelo e em série-paralelo |
24/08 |
Transformador ideal, retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo aplicados à saída de um retificador de onda |
29/08 |
Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador |
05/09 |
Circuitos ceifadores, grampeadores, limitadores e multiplicadores de tensão |
12/09 |
1ª Prova |
14/09 |
Transistor de Bipolar de Junção: construção e suas características. |
16/09 |
Exercícios |
21/09 |
Polarização CC de transistores: ponto de operação, reta de carga, polarizações fixa e de emissor |
26/09 |
Polarização CC de transistores: polarização por divisor de tensão (PDT), configuração base-comum e exercícios |
28/09 |
Exemplo de projeto de um circuito de polarização de um TBJ, uso de um transistor bipolar em circuitos de chaveamento |
03/10 |
Análise CA do transistor bipolar: modelos Pi e T, resistência re do transistor, configurações polarização fixa e polarização de emissor e exercícios |
05/10 |
Análise CA do transistor bipolar: polarização PDT, configuração seguidor de emissor e exercícios |
10/10 |
Análise CA do transistor bipolar: configuração base-comum, determinação do ganho da configuração considerando RL e RS, sistemas em cascata |
17/10 |
Exercícios |
19/10 |
Conexão Darlington, Par Realimentado e modelo Pi híbrido |
24/10 |
Construção, operação, características e folhas de dados do JFET |
31/10 |
2ª Prova |
07/11 |
MOSFET tipo depleção, MOSFET tipo intensificação, folhas de dados. |
09/11 |
Exercícios |
14/11 |
Polarização de FET: configuração com polarização fixa, configuração com autopolarização e polarização por divisor de tensão |
16/11 |
Polarização de MOSFETs dos tipos depleção e intensificação |
21/11 |
Modelo de JFET para pequenos sinais Resposta em baixas e altas frequências para amplificadores com FET |
23/11 |
3ª Prova |
28/11 |
Aula para sanar dúvidas antes da Prova Substitutiva |
30/11 |
Prova Substitutiva |
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
Documento assinado eletronicamente por Luciano Xavier Medeiros, Professor(a) do Magistério Superior, em 07/08/2023, às 09:54, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
A autenticidade deste documento pode ser conferida no site https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 4712124 e o código CRC 39792F4C. |
Referência: Processo nº 23117.054632/2023-86 | SEI nº 4712124 |