Plano de Ensino

IDENTIFICAÇÃO

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

A disciplina auxiliará principalmente em dois itens determinados para esta profissão pelo Conselho Nacional de Educação através da Câmara de Ensino Superior (CNE/CES): Identificar, formular e resolver problemas de engenharia; desenvolver e/ou utilizar novas ferramentas e técnicas. As habilidades e competências provenientes do conhecimento de ciência e tecnologia de materiais, sinais e sistemas e circuitos elétricos terão valor inestimável para que estes itens, dentre outros da profissão, sejam alcançados com maior eficiência.

OBJETIVO

PROGRAMA

1. Noções de Física de Semicondutores
    1.1. Conceitos Básicos de Semicondutores: semicondutores intrínsecos e extrínsecos, corrente em semicondutores
    1.2. Junção PN na condição de circuito aberto: equilíbrio
    1.3. Junção PN na condição de polarização reversa
    1.4. Junção PN na condição de polarização direta
    1.5. Curva característica IV da Junção PN
    1.6. Junção PN na região de ruptura: ruptura zener e avalanche
    1.7. Efeitos capacitivos na Junção PN
       
2. Características dos diodos
    2.1. Diodo ideal: característica IV e aplicações
    2.2. Junção PN como diodo: polarização direta, reversa e na região de ruptura
    2.3. Junção PN como diodo: modelo exponencial, tensão constante e análise de pequenos sinais
    2.4. Operação na região de ruptura reversa - Diodo Zener: modelo do diodo zener e efeitos da temperatura
    2.5. Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros
           
3. Circuitos utilizando diodos
    3.1. Circuitos retificadores: retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo
    3.2. Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador
    3.3. Circuitos ceifadores e limitadores
    3.4. Circuitos grampeadores
    3.5. Circuitos multiplicadores de tensão
     
4. Características dos transistores
    4.1. Transistor de junção
    4.2. Correntes em um transistor
    4.3. Transistor como amplificador
    4.4. Modelos de transistor: Pi, Pi híbrido
    4.5. Região de corte e de saturação do transistor
    4.6. Ganhos do dispositivo
    4.7. Folhas de dados do transistor

5. Configuração e polarização de transistores
    5.1. Configuração base comum
    5.2. Configuração coletor comum
    5.3. Configuração emissor comum
    5.4. Polarização do transistor
    5.5. Reta de carga

6. Amplificadores de pequeno sinal
    6.1. Capacitores de acoplamento e de desvio
    6.2. Modelo da resistência c.a. do emissor
    6.3. Reta de carga c.a, de um amplificador em emissor comum
    6.4. Teorema da superposição para amplificadores
    6.5. Amplificador seguidor do emissor
    6.6. Resposta em frequência do amplificador a TBJ
    6.7. Estágio em cascata de amplificadores
    6.8. Amplificador Darlington

7. Transistores de efeito de campo
     7.1. Características do FET
     7.2. Configuração com polarização fixa
     7.3. Polarização por divisor de tensão resistivo
     7.4. MOSFET tipo depleção
     7.5. MOSFET tipo intensificação
     7.6. Circuitos utilizando FETs

METODOLOGIA

Aulas expositivas com uso de quadro negro e datashow e os slides utilizados nas aulas teóricas estarão disponíveis em uma equipe do Microsoft Teams, cujo o código de ingresso é 837g80c, onde os alunos também poderão ter um canal de comunicação com o professor, além da divulgação das notas das atividades avaliativas.

Caso os discentes preferiam, também a possibilidade de contato através e-mail: lucianox@ufu.br.

Alguns conteúdos da disciplina serão ministrados de forma assíncrona, podendo estes serem vídeos para que os alunos assistam ou atividade de leitura ou exercícios.

AVALIAÇÃO

A distribuição das notas dessa disciplinas está descriminada abaixo:

• 1ª Prova: 02/06/2022 – 30,0 pontos;

• 2ª Prova: 14/07/2022 – 35,0 pontos;

• 3ª Prova: 11/08/2022 – 35,0 pontos;

• Prova de recuperação: 18/08/2022 – 0 a 100%.

Observações: os alunos que não atingirem 60 pontos para aprovação nas 3 primeiras avaliações, terá direito de fazer a prova de recuperação que consiste de uma prova sem consulta que possui nota máxima igual a 100%; a nota obtida nessa prova substituirá a pior nota do discente em uma das 3 avaliações originais, mesmo que a nota obtida na recuperação seja menor que a pior nota.

BIBLIOGRAFIA

Básica

• RAZAVI, B., Fundamentos de microeletrônica, Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 2017.

• SEDRA, A. S., SMITH, K. C., Microeletrônica, PERSON, 5ª edição, São Paulo, 2007.

• MALVINO, A. P., Eletrônica, 8ª ed., Porto Alegre: AMGH, 2016.

Complementar

• BOYLESTAD, R. L., Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 11ª ed., São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.

• FRANCO, S., Projetos de circuitos analógicos: discretos e integrados, Porto Alegre: AMGH, 2016.

• FRENZEL Jr, L., Eletrônica moderna: fundamentos, dispositivos, circuitos e sistemas, Porto Alegre, AMGH, 2015.

• HOROWITZ, P., A arte da eletrônica: circuitos eletrônicos e microeletrônica, 3ª ed., Porto Alegre: Bookman, 2017.

• SWART, J. W., Semicondutores: fundamentos, técnicas e aplicações, Campinas: UNICAMP, 2008.

CRONOGRAMA

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

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Documento assinado eletronicamente por Luciano Xavier Medeiros, Professor(a) do Magistério Superior, em 14/04/2022, às 23:12, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.

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A autenticidade deste documento pode ser conferida no site https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 3526793 e o código CRC 20C64D54.

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