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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.
OBJETIVO
Ao final da disciplina o estudante será capaz de:
1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;
2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;
3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;
4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.
PROGRAMA
1. Características dos diodos;
2. Circuitos utilizando diodos;
3. Características dos transistores;
4. Polarização dos transistores;
5. Amplificadores de pequeno sinal;
6. Transistores de efeito de campo.
METODOLOGIA
(
As aulas serão ministradas de forma presencial, no laboratório de eletrônica, realizadas às terças-feiras das 08h50min às 10h40min. Na tabela abaixo estão descrita as aula que serão ministradas no semestre.
AULA |
DATA |
CONTEÚDO |
01-02 (1) |
28/02/2023 |
-Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação e datas das provas; -Apresentação do Simulador que será utilizado na Aula; |
03-04 (2) |
07/03/2023 |
-Levantamento da curva característica do diodo semicondutor; -Atividade de Simulação; |
14/03/2023 |
-Diodos Limitadores de tensão; -Diodos Ceifadores; -Atividade de Simulação; |
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07-08 (4) |
21/03/2023 |
-Circuitos retificadores de onda completa; -Atividade de Simulação; |
28/03/2023 |
-Fonte de tensão AC~DC; -Protótipo de Fonte de tensão AC~DC; -Atividade de Simulação; |
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11-12 (6) |
04/04/2023 |
-Diodo Zener; -Atividade de Simulação; |
11/04/2023 |
-Configuração Emissor comum (com polarização fixa da Base); -Reta de Carga; -Lista de de Simulação; -Relatório 1 sobre Diodos e o Relatório de simulações sobre Diodos; |
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18/04/2023 |
-Configuração Emissor comum(polarização do Emissor); -Reta de Carga; -Atividade de Simulação; |
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25/04/2023 |
-Transistor como chave; -Atividade de Simulação; - Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação); |
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02/05/2023 |
-Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão; -Atividade de Simulação; |
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21-22 (11) |
09/05/2023 |
-Amplificadores de pequenos sinais em cascata; |
23-24 (12) |
16/05/2023 |
-Resposta em Frequência do Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão; -Atividade de Simulação; - Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad); |
25-26 (13) |
23/05/2023 |
Levantamento da curva VG x ID para o transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização; -Lista de de Simulação; -Relatório 2 sobre Transistores TBJ e Relatório de simulações sobre Transistores TBJ; |
27-28 (14) |
30/05/2023 |
-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais; -Atividade de Simulação; |
29-30 (15) |
06/06/2023 |
-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais; -Atividade de Simulação; |
31-32 (16) |
13/06/2023 |
-Apresentação do Protótipo do Projeto de Fonte AC~DC; -Lista de de Simulação; -Relatório 3 sobre Transistores JFET e Relatório de simulações sobre Transistores JFET; |
33-34 (17) |
20/06/2023 |
- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad); |
35-36 (18) |
27/06/2023 |
- Entrega do Projeto final |
O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial na sala 312 no bloco 1n as quartas-feiras de 14:50h até 17:40 e contabilizando no máximo 100 minutos por turma.
AVALIAÇÃO
O aproveitamento dos discente será medido por meio de relatórios sobre os experimentos, listas de simulações e projeto final, como mostra o quadro abaixo:
Avaliação |
Valor |
Data |
Média dos Relatório |
33,33 |
11/04/2023, 23/05/2023 e 13/06/2023 |
Média das Lista de Simulações |
33,33 |
08/11/2022, 10/01/2023 e 31/01/2023 |
- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação); |
11,11 |
11/04/2023 |
- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad); |
11,11 |
16/05/2023 |
- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad); |
11,11 |
20/06/2023 |
Projeto Final |
33,33 |
31/01/2023 |
Total |
100,00 |
- |
Os resultados das avaliações serão apresentadas pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.
A vista de prova será marcada com os discente, nas sextas-feiras nos horários previstos para o atendimento discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).
BIBLIOGRAFIA
BÁSICA
1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.
3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.
COMPLEMENTAR
1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.
2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.
3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Científicos, 1973.
4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.
5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 23/01/2023, às 15:34, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
A autenticidade deste documento pode ser conferida no site https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 4211040 e o código CRC ED28E146. |
Referência: Processo nº 23117.002527/2023-61 | SEI nº 4211040 |