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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.
OBJETIVO
Objetivo Geral: |
Ao final da disciplina o estudante será capaz de: |
Objetivos Específicos: |
1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo; 2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito; 3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados; 4.Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos. |
PROGRAMA
1. Características dos diodos;
2. Circuitos utilizando diodos;
3. Características dos transistores de junção bipolar;
4. Polarização dos transistores de junção bipolar;
5. Amplificadores de pequenos sinais utilizando transistores de junção bipolar;
6. Transistores de efeito de campo.
7. Características dos transistores de efeito de campo;
8. Polarização dos transistores de efeito de campo;
9. Amplificadores de pequenos sinais utilizando transistores de efeito de campo
10. Amplificadores de potência classes A e B.
METODOLOGIA
As aulas serão presenciais e ocorrerão todas as terças e quintas-feiras de 13h10min até 14h 50 min. Além disso, será disponibilizado aos alunos 100 minutos para antendimento entre segundas e sextas feiras. Serão também utilizados 100 minutos sábados sim e sábados não, para atendimento e realização de aulas de exercícios extras. Estes sábados não serão obrigatórios para os alunos e o horário será combinado com os alunos. Na tabela abaixo estão descritas as aulas que serão ministradas durante todo o período.
AULAS |
DATA |
CONTEÚDO |
1-2 |
21/05/2024 |
Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação; Apresentação sobre o ‘mundo’ da eletrônica analógica (E.A.) |
3-4 |
23/05/2024 |
Física de semicondutores para o diodo |
5-6 |
28/05/2024 |
Polarização e características elétricas do diodo |
7-8 |
04/06/2024 |
Aplicações de diodos: retificadores, ceifadores e grampeadores. |
9-03 |
06/06/2024 |
Exercícios sobre circuitos com diodos Entrega de Exercício e Lista de simulação 01 |
04-12 |
11/06/2024 |
Tipos especiais de diodos (Diodo Zener e Varicap) |
13-14 |
13/06/2024 |
Aplicações dos diodos Zeneres |
15-16 |
18/06/2024 |
Projeto de Fontes AC~DC |
17-18 |
20/06/2024 |
Exercícios fixação Entrega de Exercício e Lista de simulação 02 |
19-20 |
25/06/2024 |
Prova 1 |
21-22 |
27/06/2024 |
Transistor bipolar junção (TBJ): física dos semicondutores dos Transistores |
23-24 |
02/07/2024 |
Configurações Emissor Comum, Coletor Comum e Base Comum. |
25-26 |
04/07/2024 |
Regiões de operação do TBJ (Região ativa, corte e saturação) Reta de carga |
27-28 |
09/07/2024 |
Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Fixa, Polarização do Emissor e Polarização por realimentação do coletor |
29-30 |
11/07/2024 |
Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Seguidor de Emissor e Polarização Base Fixa Entrega de Exercício e Lista de simulação 03 |
31-32 |
30/07/2024 |
Exercícios fixação |
33-34 |
01/08/2024 |
Análise AC dos Transistores TBJ: Equivalente re do Transistor TBJ. |
35-36 |
06/08/2024 |
Análise AC dos Transistores TBJ: Polarização base fixa, Polarização do Emissor e Polarização por divisor de tensão |
37-38 |
08/08/2024 |
Análise AC dos Transistores TBJ: seguidor emissor, base comum e realimentação de coletor |
39-40 |
13/08/2024 |
Ligações em cascata e o Efeito das impedâncias da fonte e da carga |
41-42 |
20/08/2024 |
Exercícios fixação Entrega da Lista de simulação 04 |
43-44 |
22/08/2024 |
Resposta em Frequência dos Transistores TBJ |
45-46 |
27/08/2024 |
Exercícios fixação |
47-48 |
29/08/2024 |
Entrega de Exercício e Lista de simulação 04 |
49-50 |
03/09/2024 |
Prova 2 |
51-52 |
05/09/2024 |
Transistores de efeito de campo e seus tipos.Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 1) Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 2) Análise DC dos Transistores de Efeito de campo de Junção: Polarização Fixa, Auto polarização, Polarização por divisor de tensão, Polarização porta comum e Polarização seguidor de fonte. Análise AC dos Transistores de Efeito de campo de Junção. Resposta em frequência dos Transistores de Efeito de campo de Junção. |
53-54 |
10/09/2024 |
Exercício de fixação. |
55-56 |
13/09/2024 |
Prova 3. |
57-58 |
17/09/2024 |
Exercício de fixação. |
59-60 |
19/09/2024 |
Prova Substitutiva |
O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial, na sala 312 bloco 1N, as quintas-feiras entre 8:50 até 10:50.
AVALIAÇÃO
O aproveitamento dos discente será medido por meio de três avaliações em uma prova substitutiva de recuperação
Avaliação |
Valor |
Data |
Entrega de Exercício e Lista de simulação 01 |
5,0 |
06/06/2024 |
Entrega de Exercício e Lista de simulação 02 |
5,0 |
20/06/2024 |
Prova 1 |
23,33 |
25/06/2024 |
Entrega de Exercício e Lista de simulação 03 |
5,0 |
11/07/2024 |
Entrega de Exercício e Lista de simulação 04 |
5,0 |
29/08/2024 |
Prova 2 |
23,33 |
03/09/2024 |
Prova 3 |
33,33 |
13/09/2024 |
Prova Substitutiva |
33,33 |
19/09/2024 |
Total |
100 |
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Os resultados das avaliações serão apresentados pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.
A vista de prova será marcada com os discentes, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 07 dias uteis previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2004).
BIBLIOGRAFIA
Básica
1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.
3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.
Complementar
1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.
2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.
3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Cientificos, 1973.
4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.
5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
| Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 23/05/2024, às 09:21, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
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Referência: Processo nº 23117.034406/2024-60 | SEI nº 5427636 |