UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Faculdade de Engenharia Elétrica

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Timbre

Plano de Ensino

 

IDENTIFICAÇÃO

Componente Curricular:

Eletrônica Analógica 1

Unidade Ofertante:

Faculdade de Engenharia Elétrica

Código:

FEELT31401

Período/Série:

Turma:

 

Carga Horária:

Natureza:

Teórica:

60

Prática:

 

Total:

60

Obrigatória:

( ✗ )

Optativa:

(    )

Professor(A):

Luciano Xavier Medeiros

Ano/Semestre:

2020/2

Observações:

 

 

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

A disciplina auxiliará principalmente em dois itens determinados para esta profissão pelo Conselho Nacional de Educação através da Câmara de Ensino Superior (CNE/CES): Identificar, formular e resolver problemas de engenharia; desenvolver e/ou utilizar novas ferramentas e técnicas. As habilidades e competências provenientes do conhecimento de ciência e tecnologia de materiais, sinais e sistemas e circuitos elétricos terão valor inestimável para que estes itens, dentre outros da profissão, sejam alcançados com maior eficiência.

OBJETIVO

Objetivo Geral:

Munir o aluno com uma ampla compreensão sobre os fundamentos teóricos e de projeto dos empregos de dispositivos semicondutores básicos dentro dos universos analógico e digital. A disciplina Eletrônica Analógica I propõe um enfoque bastante aplicado e direcionado a execução de projetos, de modo que o aluno seja capaz de integrar a base de conhecimento ora adquirida com outras vertentes do curso de Engenharia Elétrica ou mesmo em execuções multidisciplinares.

PROGRAMA

1. Noções de Física de Semicondutores
    1.1. Conceitos Básicos de Semicondutores: semicondutores intrínsecos e extrínsecos, corrente em semicondutores
    1.2. Junção PN na condição de circuito aberto: equilíbrio
    1.3. Junção PN na condição de polarização reversa
    1.4. Junção PN na condição de polarização direta
    1.5. Curva característica IV da Junção PN
    1.6. Junção PN na região de ruptura: ruptura zener e avalanche
    1.7. Efeitos capacitivos na Junção PN
       
2. Características dos diodos
    2.1. Diodo ideal: característica IV e aplicações
    2.2. Junção PN como diodo: polarização direta, reversa e na região de ruptura
    2.3. Junção PN como diodo: modelo exponencial, tensão constante e análise de pequenos sinais
    2.4. Operação na região de ruptura reversa - Diodo Zener: modelo do diodo zener e efeitos da temperatura
    2.5. Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros
           
3. Circuitos utilizando diodos
    3.1. Circuitos retificadores: retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo
    3.2. Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador
    3.3. Circuitos ceifadores e limitadores
    3.4. Circuitos grampeadores
    3.5. Circuitos multiplicadores de tensão
       
4. Características dos transistores
    4.1. Transistor de junção
    4.2. Correntes em um transistor
    4.3. Transistor como amplificador
    4.4. Modelos de transistor: Pi, Pi híbrido
    4.5. Região de corte e de saturação do transistor
    4.6. Ganhos do dispositivo
    4.7. Folhas de dados do transistor

 5. Configuração e polarização de transistores
     5.1. Configuração base comum
     5.2. Configuração coletor comum
     5.3. Configuração emissor comum
     5.4. Polarização do transistor
     5.5. Reta de carga

 6. Amplificadores de pequeno sinal
     6.1. Capacitores de acoplamento e de desvio
     6.2. Modelo da resistência c.a. do emissor
     6.3. Reta de carga c.a, de um amplificador em emissor comum
     6.4. Teorema da superposição para amplificadores
     6.5. Amplificador seguidor do emissor
     6.6. Resposta em frequência do amplificador a TBJ
     6.7. Estágio em cascata de amplificadores
     6.8. Amplificador Darlington

 7. Transistores de efeito de campo
     7.1. Características do FET
     7.2. Configuração com polarização fixa
     7.3. Polarização por divisor de tensão resistivo
     7.4. MOSFET tipo depleção
     7.5. MOSFET tipo intensificação
     7.6. Circuitos utilizando FETs

METODOLOGIA

Durante essa etapa das atividades remotas emergenciais, serão adotados 2 tipos de atividades:

Todas as atividades síncronas terão chamadas e os alunos deverão permanecer com as câmeras de seus dispositivos ligadas para que o professor possa verificar as participações dos mesmos durante o decorrer da aula.

Os estudantes poderão entrar em contato com o professor através do seguinte e-mail: lucianox@ufu.br.

AVALIAÇÃO

A distribuição das notas dessa disciplinas está descriminada abaixo:

Observação: as listas de exercícios deverão ser feitas à mão, digitalizadas e enviadas via Microsoft Teams no formato pdf (Portable Document Format). Caso o aluno não tenha um scanner para digitalizar as listas de exercícios, existe diversos aplicativo para celular que podem ser utilizado para essa tarefa, como por exemplo o software CamScanner (https://play.google.com/store/apps/details?id=com.intsig.camscanner&hl=pt_BR).

BIBLIOGRAFIA

Básica

Complementar

CRONOGRAMA

Data

Atividade / Conteúdo

Horas de atividades

Síncrona

Assíncrona

13/07

Apresentação do plano de ensino da disciplina e definição das datas da entrega das atividades avaliativas.

2

 

15/07

Conceitos Básicos de Semicondutores: semicondutores intrínsecos e extrínsecos, corrente em semicondutores

 

2

20/07

Junção PN na condição de circuito aberto: equilíbrio; Junção PN na condição de polarização reversa; Junção PN na condição de polarização direta; Curva característica IV da Junção PN

 

2

22/07

Junção PN na região de ruptura: ruptura zener e avalanche; Efeitos capacitivos na Junção PN

2

 

27/07

Diodo ideal: característica IV e aplicações; Junção PN como diodo: polarização direta, reversa e na região de ruptura; Junção PN como diodo: modelo exponencial, tensão constante e análise de pequenos sinais

 

2

29/07

Operação na região de ruptura reversa - Diodo Zener: modelo do diodo zener e efeitos da temperatura; Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros

2

 

31/07

Exercícios

 

2

03/08

Circuitos retificadores: retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo

 

2

05/08

Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador

2

 

10/08

Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador

 

2

12/08

Circuitos ceifadores, grampeadores, limitadores e multiplicadores de tensão

2

 

14/08

Término da 1ª lista de exercícios

 

2

17/08

Características dos transistores: Transistor de junção; Correntes em um transistor; Ganhos do dispositivo; Região de corte e de saturação do transistor; Folhas de dados do transistor

 

2

19/08

Características dos transistores: Transistor como amplificador; Modelos de transistor: Pi, Pi híbrido

2

 

24/08

Configuração e polarização de transistores: Polarização do transistor; Reta de Carga; Polarização simples; Realimentação para estabilização do ponto de operação

 

2

26/08

Configuração e polarização de transistores: Polarização do transistor; Reta de Carga; Polarização simples; Realimentação para estabilização do ponto de operação

2

 

02/09

Configuração e polarização de transistores: Realimentação para estabilização do ponto de operação

2

 

04/09

Exercícios

 

2

09/09

Amplificadores de pequeno sinal: Capacitores de acoplamento e de desvio; Reta de carga c.a, de um amplificador em emissor comum; Formas de onda; Distorção; Análise CC e CA

2

 

14/09

Amplificadores de pequeno sinal: Capacitores de acoplamento e de desvio; Reta de carga c.a, de um amplificador em emissor comum; Formas de onda; Distorção; Análise CC e CA

 

2

16/09

Amplificadores de pequeno sinal: Modelo Ebers-Moll ou Modelo “T”; Modelo Pi

2

 

21/09

Amplificadores de pequeno sinal: amplificador com polarização do emissor; ganho de tensão, impedância de entrada e saída.

 

2

23/09

Amplificadores de pequeno sinal: amplificador com polarização do emissor; ganho de tensão, impedância de entrada e saída; amplificador com realimentação parcial; ganho de tensão, impedância de entrada e saída.

2

 

28/09

Amplificadores de pequeno sinal: amplificador CC, BC e estágios em cascata; seguidor de emissor; darlington.

 

2

30/09

Amplificadores de pequeno sinal: resposta em frequência; gráficos de bode e efeito Miller.

2

 

02/10

Término da 2ª lista de exercícios

 

2

05/10

Transistores de efeito de campo: MOSFET. construção, operação e características, curvas características, regiões de operação.

 

2

07/10

Exercícios

2

 

14/10

Transistores de efeito de campo: MOSFET polarização fixa, autopolarização, polarização por divisor de tensão

2

 

19/10

Exercícios

 

3

21/10

Transistores de efeito de campo: MOSFET polarização fixa, autopolarização, polarização por divisor de tensão

2

 

26/10

Exercícios

 

2

28/10

Transistores de efeito de campo: amplificadores com MOSFET.

2

 

04/11

Exercícios

2

 

05/11

Término da 3ª lista de exercícios

 

3

Total de aulas:

28,33

31,67

Observação: os números de horas descritos na tabela são em relação a 1 hora-aula, o que é equivalente a 50 minutos, porém ao final, a disciplina totaliza 60 horas-relógio.

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

 


logotipo

Documento assinado eletronicamente por Luciano Xavier Medeiros, Professor(a) do Magistério Superior, em 14/07/2021, às 00:03, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.


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Referência: Processo nº 23117.039263/2021-30 SEI nº 2904617