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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
- |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
A disciplina auxiliará principalmente em dois itens determinados para esta profissão pelo Conselho Nacional de Educação através da Câmara de Ensino Superior (CNE/CES): Identificar, formular e resolver problemas de engenharia; desenvolver e/ou utilizar novas ferramentas e técnicas. As habilidades e competências provenientes do conhecimento de ciência e tecnologia de materiais, sinais e sistemas e circuitos elétricos terão valor inestimável para que estes itens, dentre outros da profissão, sejam alcançados com maior eficiência.
OBJETIVO
Objetivo Geral: |
Munir o aluno com uma ampla compreensão sobre os fundamentos teóricos e de projeto dos empregos de dispositivos semicondutores básicos dentro dos universos analógico e digital.
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Objetivos Específicos: |
A disciplina Eletrônica Analógica I propõe um enfoque bastante aplicado e direcionado a execução de projetos, de modo que o aluno seja capaz de integrar a base de conhecimento ora adquirida com outras vertentes do curso de Engenharia Elétrica ou mesmo em execuções multidisciplinares. |
PROGRAMA
1. Noções de Física de Semicondutores
2. Características dos diodos
3. Circuitos utilizando diodos
4. Características dos transistores
5. Configuração e polarização de transistores
6. Amplificadores de pequeno sinal
7. Transistores de efeito de campo
METODOLOGIA
Aulas expositivas com uso de quadro negro e retroprojetor, sendo que os slides utilizados nas aulas teóricas estarão disponíveis em uma equipe do Microsoft Teams, cujo o código de ingresso é yeeefdn.
O Microsoft Temas será utilizado como um dos canal de comunicação com o professor, além de ser o local para divulgação das notas das atividades avaliativas.
Caso os discentes preferiam, também a possibilidade de contato através e-mail: lucianox@ufu.br.
AVALIAÇÃO
A distribuição das notas dessa disciplinas está descriminada abaixo:
1ª Prova: 24/02/2024 (das 8h às 12h) – 30,0 pontos;
2ª Prova: 30/03/2024 (das 8h às 12h) – 30,0 pontos;
3ª Prova: 18/04/2024 (das 12h30 às 14h50) – 30,0 pontos;
Testes: 10,0 pontos;
Prova Substitutiva: 25/04/2024 – 30,0 pontos.
Observações:
A avaliação substitutiva será sem consulta e terá nota igual a 30 pontos. O resultado dessa avaliação alterará a menor nota do discente obteve em uma das 3 primeiras provas, mesmo que a nota obtida na avaliação substitutiva seja menor;
os requisitos para o discente tenha o direito de fazer a avaliação substitutiva são: não estar reprovado por falta; e tenha nota final de pelo menos 30 pontos, desconsiderando a pontuação obtida da prova que obteve pior desempenho;
Os testes poderão ser com ou sem consulta, sem datas marcadas e podem ser realizados a qualquer momento das aulas. Logo, o discente só terá a nota de cada teste contabilizada se o aluno estiver presente na aula.
BIBLIOGRAFIA
Básica
RAZAVI, B., Fundamentos de microeletrônica, Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 2017.
SEDRA, A. S., SMITH, K. C., Microeletrônica, PERSON, 5ª edição, São Paulo, 2007.
MALVINO, A. P., Eletrônica, 8ª ed., Porto Alegre: AMGH, 2016.
Complementar
BOYLESTAD, R. L., Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 11ª ed., São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.
FRANCO, S., Projetos de circuitos analógicos: discretos e integrados, Porto Alegre: AMGH, 2016.
FRENZEL Jr, L., Eletrônica moderna: fundamentos, dispositivos, circuitos e sistemas, Porto Alegre, AMGH, 2015.
HOROWITZ, P., A arte da eletrônica: circuitos eletrônicos e microeletrônica, 3ª ed., Porto Alegre: Bookman, 2017.
SWART, J. W., Semicondutores: fundamentos, técnicas e aplicações, Campinas: UNICAMP, 2008.
Cronograma
Data |
Atividade / Conteúdo |
Horas presenciais |
Horas assíncronas |
09/01 |
Apresentação do plano de ensino da disciplina e definição das datas da entrega das atividades avaliativas. |
2 |
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11/01 |
Materiais semicondutores, correntes em semicondutores, materiais dos Tipos N e P e Junção PN |
2 |
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16/01 |
Diodo semicondutor: sem polarização, polarizações direta e reversa, equação do diodo, efeito Zener, ruptura, efeito da temperatura e níveis de resistência |
2 |
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18/01 |
Diodo semicondutor: capacitâncias de transição e difusão e tempo de recuperação reversa |
2 |
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23/01 |
Diodos para aplicações especiais: diodo emissor de luz, fotodiodo, diodo schottky, varactor, outros |
2 |
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25/01 |
Circuitos com diodo em série, em paralelo e em série-paralelo |
2 |
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30/01 |
Transformador ideal, retificadores de meia onda e onda completa, filtros de saída LC e capacitivo aplicados à saída de um retificador de onda |
2 |
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01/02 |
Regulação de tensão: regulador zener com carga, ponto de saída do regulador |
2 |
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06/02 |
Circuitos ceifadores, grampeadores, limitadores e multiplicadores de tensão |
2 |
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08/02 |
Exercícios |
2 |
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15/02 |
Transistor de Bipolar de Junção: construção e suas características. |
2 |
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20/02 |
Exercícios |
2 |
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22/02 |
Transistor de Bipolar de Junção: configurações Base-comum, Emissor-comum e coletor-comum. Limites de operação, folhas de dados do TBJ |
2 |
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24/02 |
1ª Prova |
5 |
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27/02 |
Polarização CC de transistores: ponto de operação, reta de carga, polarizações fixa e de emissor |
2 |
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29/02 |
Polarização CC de transistores: polarização por divisor de tensão (PDT), configuração base-comum e exercícios |
2 |
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05/03 |
Exemplo de projeto de um circuito de polarização de um TBJ, uso de um transistor bipolar em circuitos de chaveamento |
2 |
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07/03 |
Análise CA do transistor bipolar: modelos Pi e T, resistência re do transistor, configurações polarização fixa e polarização de emissor e exercícios |
2 |
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12/03 |
Análise CA do transistor bipolar: polarização PDT, configuração seguidor de emissor e exercícios |
2 |
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14/03 |
Análise CA do transistor bipolar: configuração base-comum, determinação do ganho da configuração considerando RL e RS, sistemas em cascata |
2 |
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21/03 |
Conexão Darlington, Par Realimentado e modelo Pi híbrido |
2 |
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26/03 |
Exercícios |
2 |
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28/03 |
Construção, operação, características e folhas de dados do JFET |
2 |
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30/03 |
2ª Prova |
5 |
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02/04 |
MOSFET tipo depleção, MOSFET tipo intensificação, folhas de dados. |
2 |
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04/04 |
Polarização de FET: configuração com polarização fixa, configuração com autopolarização e polarização por divisor de tensão |
2 |
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09/04 |
Polarização de MOSFETs dos tipos depleção e intensificação |
2 |
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11/04 |
Modelo de JFET para pequenos sinais Resposta em baixas e altas frequências para amplificadores com FET |
2 |
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13/04 |
Continuação sobre o tema de resposta em frequência |
4 |
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16/04 |
Exercícios |
2 |
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18/04 |
3ª Prova |
2 |
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23/04 |
Aula para sanar dúvidas antes da Prova Substitutiva |
2 |
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25/04 |
Prova Substitutiva |
2 |
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Total de aulas: |
60 |
0 |
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
Documento assinado eletronicamente por Luciano Xavier Medeiros, Professor(a) do Magistério Superior, em 14/01/2024, às 09:47, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
A autenticidade deste documento pode ser conferida no site https://www.sei.ufu.br/sei/controlador_externo.php?acao=documento_conferir&id_orgao_acesso_externo=0, informando o código verificador 5100616 e o código CRC DEFE0BC0. |
Referência: Processo nº 23117.002005/2024-41 | SEI nº 5100616 |