UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Faculdade de Engenharia Elétrica

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Timbre

Plano de Ensino

IDENTIFICAÇÃO

Componente Curricular:

EXPERIMENTAL DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I

Unidade Ofertante:

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA-FEELT

Código:

FEELT31402

Período/Série:

40 PERÍODO

Turma:

4

Carga Horária:

Natureza:

Teórica:

00

Prática:

30

Total:

30

Obrigatória:

(x )

Optativa:

( )

Professor(A):

DR. ANDRÉ LUIZ AGUIAR DA COSTA

Ano/Semestre:

2022/2

Observações:

 

 

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.

OBJETIVO

Ao final da disciplina o estudante será capaz de:

1 . Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;

2 . Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;

3 . Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;

4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.

PROGRAMA

1. Características dos diodos;

2. Circuitos utilizando diodos;

3. Características dos transistores;

4. Polarização dos transistores;

5. Amplificadores de pequeno sinal;

6. Transistores de efeito de campo.

METODOLOGIA

(

As aulas serão ministradas de forma presencial, no laboratório de eletrônica, realizadas às quartas-feiras das 08h50min às 10h40min. Na tabela abaixo estão descrita as aula que serão ministradas no semestre.

AULA

DATA

CONTEÚDO

01-02 (1)

01/03/2023

-Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação e datas das provas;

-Apresentação do Simulador que será utilizado na Aula;

03-04 (2)

08/03/2023

-Levantamento da curva característica do diodo semicondutor;

-Atividade de Simulação;

05-06 (3)

15/03/2023

-Diodos Limitadores de tensão;

-Diodos Ceifadores;

-Atividade de Simulação;

07-08 (4)

22/03/2023

-Circuitos retificadores de onda completa;

-Atividade de Simulação;

09-10 (5)

29/03/2023

-Fonte de tensão AC~DC;

-Protótipo de Fonte de tensão AC~DC;

-Atividade de Simulação;

11-12 (6)

05/04/2023

-Diodo Zener;

-Atividade de Simulação;

13-14 (7)

12/04/2023

-Configuração Emissor comum (com polarização fixa da Base);

-Reta de Carga;

-Lista de de Simulação;

-Relatório 1 sobre Diodos e o Relatório de simulações sobre Diodos;

15-16 (8)

19/04/2023

-Configuração Emissor comum(polarização do Emissor);

-Reta de Carga;

-Atividade de Simulação;

17-18 (9)

20/04/2023

-Transistor como chave;

-Atividade de Simulação;

- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação);

19-20 (10)

03/05/2023

-Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão;

-Atividade de Simulação;

21-22 (11)

10/05/2023

-Amplificadores de pequenos sinais em cascata;

23-24 (12)

17/05/2023

-Resposta em Frequência do Amplificador de pequenos sinais utilizando configuração emissor comum com polarização de divisor de tensão;

-Atividade de Simulação;

- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad);

25-26 (13)

24/05/2023

Levantamento da curva VG x ID para o transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização;

-Lista de de Simulação;

-Relatório 2 sobre Transistores TBJ e Relatório de simulações sobre Transistores TBJ;

27-28 (14)

31/05/2023

-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais;

-Atividade de Simulação;

29-30 (15)

07/06/2023

-Transistor de efeito de campo de Junção (JFET) no circuito de auto polarização como amplificador de pequenos sinais;

-Atividade de Simulação;

31-32 (16)

14/06/2023

-Apresentação do Protótipo do Projeto de Fonte AC~DC;

-Lista de de Simulação;

-Relatório 3 sobre Transistores JFET e Relatório de simulações sobre Transistores JFET;

33-34 (17)

21/06/2023

​- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad);  

35-36 (18)

28/06/2023

-  Entrega do Projeto final

O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial na sala 312 no bloco 1n as quartas-feiras de 14:50h até 17:40 e contabilizando no máximo 100 minutos por turma.

AVALIAÇÃO

O aproveitamento dos discente será medido por meio de relatórios sobre os experimentos, listas de simulações e projeto final, como mostra o quadro abaixo:

Avaliação

Valor

Data

Média dos Relatório

33,33

12/04/2023, 24/05/2023 e 14/06/2023

Média das Lista de Simulações

33,33

12/04/2023, 24/05/2023 e 14/06/2023

- Apresentação da Fase I do projeto final (Simulação);

11,11

20/04/2023

- Apresentação da Fase II do projeto final (Esquemático do Kicad);

11,11

17/05/2023

​- Apresentação da Fase III do projeto final (PCB do Kicad);  

11,11

20/06/2023

Projeto Final

33,33

21/06/2023

Total

100,00

-

 

Os resultados das avaliações serão apresentadas pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.

A vista de prova será marcada com os discente, nas sextas-feiras nos horários previstos para o atendimento discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).

BIBLIOGRAFIA

BÁSICA

1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.

2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.

 3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.

COMPLEMENTAR

1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.

 2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.

3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Tecnicos e Científicos, 1973.

 4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.

 5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

 


logotipo

Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 23/01/2023, às 15:48, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.


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Referência: Processo nº 23117.002527/2023-61 SEI nº 4211246