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UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Av. João Naves de Ávila, 2121, Bloco 3N - Bairro Santa Mônica, Uberlândia-MG, CEP 38400-902 |
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Plano de Ensino
IDENTIFICAÇÃO
Componente Curricular: |
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Unidade Ofertante: |
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Código: |
Período/Série: |
Turma: |
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Carga Horária: |
Natureza: |
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Teórica: |
Prática: |
Total: |
Obrigatória: |
Optativa: |
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Professor(A): |
Ano/Semestre: |
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Observações: |
EMENTA
Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.
JUSTIFICATIVA
Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.
OBJETIVO
Ao final da disciplina o estudante será capaz de:
1. Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;
2. Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;
3. Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;
4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.
PROGRAMA
1. Características dos diodos;
2. Circuitos utilizando diodos;
3. Características dos transistores;
4. Polarização dos transistores;
5. Amplificadores de pequeno sinal;
6. Amplificadores de potência classes A e B;
7. Transistores de efeito de campo.
METODOLOGIA
As aulas serão presenciais, e ocorrerão todas as terças e quintas-feiras de 13h10min até 14h 50 min. Além disso, será disponibilizado os alunos 100 minutos semanais para atendimento. Na tabela abaixo estão descritas as aulas que serão ministradas durante todo o período.
AULAS |
DATA |
CONTEÚDO |
1-2 |
28/02/2023 |
Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação; Apresentação sobre o ‘mundo’ da eletrônica analógica (E.A.) |
3-4 |
02/03/2023 |
Física de semicondutores para o diodo |
5-6 |
07/03/2023 |
Polarização e características elétricas do diodo |
7-8 |
09/03/2023 |
Tipos especiais de diodos |
9-10 |
14/03/2023 |
Aplicações de diodos: retificadores, ceifadores e grampeadores. |
11-12 |
16/03/2023 |
Exercícios sobre circuitos com diodos |
13-14 |
21/03/2023 |
Projeto de Fontes AC~DC |
15-16 |
23/03/2023 |
Aplicações dos diodos Zeneres |
17-18 |
28/03/2023 |
Exercícios fixação |
19-20 |
30/03/2023 |
Prova 1 |
21-22 |
04/04/2023 |
Transistor bipolar junção (TBJ): física dos semicondutores dos Transistores |
23-24 |
06/04/2023 |
Configurações Emissor Comum, Coletor Comum e Base Comum. |
25-26 |
11/04/2023 |
Regiões de operação do TBJ (Região ativa, corte e saturação) Reta de carga |
27-28 |
13/04/2023 |
Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Fixa, Polarização do Emissor e Polarização por realimentação do coletor |
29-30 |
18/04/2023 |
Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Seguidor de Emissor e Polarização Base Fixa |
31-32 |
20/04/2023 |
Exercícios fixação |
33-34 |
25/04/2023 |
Análise AC dos Transistores TBJ: Equivalente re do Transistor TBJ. |
35-36 |
27/04/2023 |
Análise AC dos Transistores TBJ: Polarização base fixa, Polarização do Emissor e Polarização por divisor de tensão |
37-38 |
02/05/2023 |
Análise AC dos Transistores TBJ: seguidor emissor, base comum e realimentação de coletor |
39-40 |
04/05/2023 |
Ligações em cascata e o Efeito das impedâncias da fonte e da carga |
41-42 |
09/05/2023 |
Exercícios fixação |
43-44 |
11/05/2023 |
Resposta em Frequência dos Transistores TBJ |
45-46 |
16/05/2023 |
Exercícios fixação |
47-48 |
18/05/2023 |
Prova 2 |
49-50 |
23/05/2023 |
Transistores de efeito de campo e seus tipos Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 1) Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 2) |
51-52 |
25/05/2023 |
Análise DC dos Transistores de Efeito de campo de Junção: Polarização Fixa, Auto polarização, Polarização por divisor de tensão, Polarização porta comum e Polarização seguidor de fonte |
53-54 |
30/05/2023 |
Análise DC dos Transistores de Efeito de campo de Junção: Polarização Fixa, Auto polarização, Polarização por divisor de tensão, Polarização porta comum e Polarização seguidor de fonte |
55-56 |
01/06/2023 |
Exercício de fixação |
57-58 |
06/06/2023 |
Análise AC dos Transistores de Efeito de campo de Junção |
59-60 |
13/06/2023 |
Análise AC dos Transistores de Efeito de campo de Junção |
61-62 |
15/06/2023 |
Resposta em frequência dos Transistores de Efeito de campo de Junção |
63-64 |
20/06/2023 |
Resposta em frequência dos Transistores de Efeito de campo de Junção |
65-66 |
22/06/2023 |
Exercício de fixação |
67-68 |
24/06/2023 |
Prova 3 |
69-70 |
27/06/2023 |
Prova substitutiva |
71-72 |
29/06/2023 |
Divulgação dos resultados |
O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial, na sala 312 bloco 1N, as segundas-feiras entre 14:00 até 17:40 e terças-feiras entre 15h10min até 17h 00 min.
AVALIAÇÃO
7 AVALIAÇÃO
O aproveitamento dos discente será medido por meio de três avaliações em uma prova substitutiva de recuperação
Avaliação |
Valor |
Data |
Prova 1 |
33,33 |
30/03/2023 |
Prova 2 |
33,33 |
18/05/2023 |
Prova 3 |
33,33 |
24/06/2023 |
Prova Substitutiva |
33,33 |
27/06/2023 |
Total |
100,00 |
- |
Os resultados das avaliações serão apresentados pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.
A vista de prova será marcada com os discentes, nas sextas-feiras nos horários previstos para o atendimento discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).
BIBLIOGRAFIA
8.1 BÁSICA
1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.
3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.
8.1 COMPLEMENTAR
1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.
2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.
3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 1973.
4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.
5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.
APROVAÇÃO
Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______
Coordenação do Curso de Graduação: _________________________
Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 23/01/2023, às 15:12, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015. |
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Referência: Processo nº 23117.002527/2023-61 | SEI nº 4210692 |