UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA
Faculdade de Engenharia Elétrica

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Timbre

Plano de Ensino

IDENTIFICAÇÃO

Componente Curricular:

ELETRÔNICA ANALÓGICA TEÓRICA I

Unidade Ofertante:

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Código:

FEELT31401

Período/Série:

40 PERÍODO

Turma:

B

Carga Horária:

Natureza:

Teórica:

60

Prática:

00

Total:

60

Obrigatória:

(x)

Optativa:

( )

Professor(A):

DR. ANDRÉ LUIZ AGUIAR DA COSTA

Ano/Semestre:

2022/2

Observações:

 

 

EMENTA

Características, funcionamento, operação e aplicações à engenharia elétrica de diodos, transistores bipolares e transistores de efeito de campo.

JUSTIFICATIVA

Essa componente curricular é importante para o aluno do curso de Engenharia Eletrônica e de Telecomunicações, pois apresentam os fundamentos do funcionamento prático dos circuitos eletrônicos baseados nos dispositivos semicondutores, tais como: diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de Campo. Além do conhecimento técnico mais associado ao Experimental de Eletrônica Analógica, o estudante deve melhorar sua capacidade de utilizar a matemática e a física para modelagem, pesquisar por soluções tecnológicas atuais e trabalhar em equipe para a resolução de projetos.

OBJETIVO

Ao final da disciplina o estudante será capaz de:

1. Analisar a operação de circuitos que utilizam transistores bipolares e de efeito de campo;

2. Projetar fontes de tensão transistorizadas reguladas e protegidas contra Curto-circuito;

3. Projetar amplificadores de potência e de pequenos sinais transistorizados;

4. Analisar, projetar, montar e testar circuitos eletrônicos em laboratório, com a utilização de diversos instrumentos.

PROGRAMA

1. Características dos diodos;

2. Circuitos utilizando diodos;

3. Características dos transistores;

4. Polarização dos transistores;

5. Amplificadores de pequeno sinal;

6. Amplificadores de potência classes A e B;

7. Transistores de efeito de campo.

METODOLOGIA

As aulas serão presenciais, e ocorrerão todas as terças e quintas-feiras de 13h10min até 14h 50 min. Além disso, será disponibilizado os alunos 100 minutos semanais para atendimento. Na tabela abaixo estão descritas as aulas que serão ministradas durante todo o período.

AULAS

DATA

CONTEÚDO

1-2

28/02/2023

Apresentação da disciplina com conteúdo programático, método de avaliação; Apresentação sobre o ‘mundo’ da eletrônica analógica (E.A.)

3-4

02/03/2023

Física de semicondutores para o diodo

5-6

07/03/2023

Polarização e características elétricas do diodo

7-8

09/03/2023

Tipos especiais de diodos

9-10

14/03/2023

Aplicações de diodos: retificadores, ceifadores e grampeadores.

11-12

16/03/2023

Exercícios sobre circuitos com diodos

13-14

21/03/2023

Projeto de Fontes AC~DC

15-16

23/03/2023

Aplicações dos diodos Zeneres

17-18

28/03/2023

Exercícios fixação

19-20

30/03/2023

Prova 1

21-22

04/04/2023

Transistor bipolar junção (TBJ): física dos semicondutores dos Transistores

23-24

06/04/2023

Configurações Emissor Comum, Coletor Comum e Base Comum.

25-26

11/04/2023

Regiões de operação do TBJ (Região ativa, corte e saturação)

Reta de carga

27-28

13/04/2023

Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Fixa, Polarização do Emissor e Polarização por realimentação do coletor

29-30

18/04/2023

Análise DC e Circuitos de Polarização do TBJ: Polarização Seguidor de Emissor e Polarização Base Fixa

31-32

20/04/2023

Exercícios fixação

33-34

25/04/2023

Análise AC dos Transistores TBJ: Equivalente re do Transistor TBJ.

35-36

27/04/2023

Análise AC dos Transistores TBJ: Polarização base fixa, Polarização do Emissor e Polarização por divisor de tensão

37-38

02/05/2023

Análise AC dos Transistores TBJ: seguidor emissor, base comum e realimentação de coletor

39-40

04/05/2023

Ligações em cascata e o Efeito das impedâncias da fonte e da carga

41-42

09/05/2023

Exercícios fixação

43-44

11/05/2023

Resposta em Frequência dos Transistores TBJ

45-46

16/05/2023

Exercícios fixação

47-48

18/05/2023

Prova 2

49-50

23/05/2023

Transistores de efeito de campo e seus tipos

Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 1)

Características do JFET, MOSFET (depleção e intensificação) e CMOS (parte 2)

51-52

25/05/2023

Análise DC dos Transistores de Efeito de campo de Junção: Polarização Fixa, Auto polarização, Polarização por divisor de tensão, Polarização porta comum e Polarização seguidor de fonte

53-54

30/05/2023

Análise DC dos Transistores de Efeito de campo de Junção: Polarização Fixa, Auto polarização, Polarização por divisor de tensão, Polarização porta comum e Polarização seguidor de fonte

55-56

01/06/2023

Exercício de fixação

57-58

06/06/2023

Análise AC dos Transistores de Efeito de campo de Junção

59-60

13/06/2023

Análise AC dos Transistores de Efeito de campo de Junção

61-62

15/06/2023

Resposta em frequência dos Transistores de Efeito de campo de Junção

63-64

20/06/2023

Resposta em frequência dos Transistores de Efeito de campo de Junção

65-66

22/06/2023

Exercício de fixação

67-68

24/06/2023

Prova 3

69-70

27/06/2023

Prova substitutiva

71-72

29/06/2023

Divulgação dos resultados

O atendimento aos alunos será realizado de forma presencial, na sala 312 bloco 1N, as segundas-feiras entre 14:00 até 17:40 e terças-feiras entre 15h10min até 17h 00 min.

AVALIAÇÃO

7 AVALIAÇÃO

O aproveitamento dos discente será medido por meio de três avaliações em uma prova substitutiva de recuperação

Avaliação

Valor

Data

Prova 1

33,33

30/03/2023

Prova 2

33,33

18/05/2023

Prova 3

33,33

24/06/2023

Prova Substitutiva

33,33

27/06/2023

Total

100,00

-

Os resultados das avaliações serão apresentados pelos números de matrícula e nome dos alunos, divulgados por meio der e-mails, moodle ou whatsapp.

A vista de prova será marcada com os discentes, nas sextas-feiras nos horários previstos para o atendimento discente, a partir da data de divulgação das notas, respeitando-se o prazo de 10 dias previsto na Resolução do CONGRAD (Nº15/2011).

BIBLIOGRAFIA

8.1 BÁSICA

1. MALVINO, A.P. Eletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.

2. BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. São Paulo: Prentice Hall do Brasil, 2004.

 3. MILLMAN, J.; HALKIAS, C. Eletrônica Dispositivos e Circuitos. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1981.

 

8.1 COMPLEMENTAR

1. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 1995.

 2. LALOND, D. E.; ROSS, J.A. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo: Makron Books, 1999.

3. GRONNER, I. Análise de Circuitos Transistorizados. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos, 1973.

 4. ZUFFO, J.A. Dispositivos Eletrônicos, Física e Modelamento. São Paulo: McGraw-Hill do Brasil, 1976.

 5. Wilson, J. A. Eletrônica Básica: Teoria e Prática. São Paulo: Rideel.

APROVAÇÃO

Aprovado em reunião do Colegiado realizada em: ____/____/______

Coordenação do Curso de Graduação: _________________________

 


logotipo

Documento assinado eletronicamente por Andre Luiz Aguiar da Costa, Professor(a) do Magistério Superior, em 23/01/2023, às 15:12, conforme horário oficial de Brasília, com fundamento no art. 6º, § 1º, do Decreto nº 8.539, de 8 de outubro de 2015.


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Referência: Processo nº 23117.002527/2023-61 SEI nº 4210692